EMD9T2R
ผู้ผลิต:
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ พรีไบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100mA
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภททรานซิสเตอร์:
1 NPN, 1 PNP - พรีไบแอส (ดูอัล)
ความถี่ - การเปลี่ยน:
250MHz
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
เทปตัด (CT)
Digi-Reel®
ซีรี่ย์:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
300mV @ 250µA, 5mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50V
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
อีเอ็มที6
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
10กิโลโอห์ม
Mfr:
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2):
47kโอห์ม
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA
กำลัง - สูงสุด:
150mW
กล่อง / กระเป๋า:
SOT-563, SOT-666
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
EMD9T2
คําแนะนํา
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) 1 NPN, 1 PNP - ทรานซิสเตอร์ (คู่) 50V 100mA 250MHz 150mW
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: