MJD350T4G
ผู้ผลิต:
ออนเซมิ
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
พนง
ประเภทสินค้า:
ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - BJT
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
กระแส DC Collector สูงสุด:
0.5 ก
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
300 โวลต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-252-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
การตั้งค่า:
เดี่ยว
คอลเลคเตอร์ - แรงดันฐาน VCBO:
300 โวลต์
ซีรี่ย์:
MJD350
อิมิตเตอร์- แรงดันเบส VEBO:
3 โวลต์
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์:
1 โวลต์
ผู้ผลิต:
เซมี่
คําแนะนํา
The MJD350T4G, from onsemi, is Bipolar Transistors - BJT.what we offer have competitive price in the global market, which are in original and new parts.สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก, ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
Related Products
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: