DZT5551-13
ผู้ผลิต:
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
เอ็น.พี.เอ็น
ประเภทสินค้า:
ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - BJT
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
กระแส DC Collector สูงสุด:
600 มิลลิแอมป์
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
160 โวลต์
กล่อง / กระเป๋า:
สทศ-223-4
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
รับแบนด์วิดท์ผลิตภัณฑ์ fT:
300 เมกะเฮิรตซ์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
คอลเลคเตอร์ - แรงดันฐาน VCBO:
180 โวลต์
ซีรี่ย์:
DZT5551
อิมิตเตอร์- แรงดันเบส VEBO:
6 โวลต์
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์:
200มิลลิโวลต์
ผู้ผลิต:
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
คําแนะนํา
DZT5551-13 จาก Diodes Incorporated เป็น Bipolar Transistors - BJT สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
Related Products
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
FCX790ATA |
|
|
|
|
FMMT718TA |
|
|
|
|
MMBT3904LP-7 |
|
|
|
|
MJD32C-13 |
|
|
|
|
FZT751TA |
|
|
|
|
FZT855TA |
|
|
|
|
MMBTA06-7-F |
|
|
|
|
FZT951TA |
|
|
|
|
FZT753TA |
|
|
|
|
FCX493TA |
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: