FF150R12RT4
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
กระแสไฟฟ้ารั่วไหลของเกท-อิมิตเตอร์:
100 นาโนเมตร
ประเภทสินค้า:
โมดูล IGBT
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 องศาเซลเซียส:
150 ก
Pd - การกระจายพลังงาน:
790 วัตต์
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
1200 โวลต์
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
การบรรจุ:
ขนาดใหญ่
การตั้งค่า:
ดูอัล
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์:
1.75 โวลต์
สินค้า:
IGBT โมดูลซิลิคอน
ผู้ผลิต:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
คําแนะนํา
FF150R12RT4 จาก Infineon Technologies เป็นโมดูล IGBT สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
Related Products
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: