IMX9T110
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
500mA
สถานะสินค้า:
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภททรานซิสเตอร์:
2 NPN (คู่)
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
ความถี่ - การเปลี่ยน:
350MHz
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
เทปตัด (CT)
Digi-Reel®
ซีรี่ย์:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
400mV ที่ 20mA, 500mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
20V
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SMT6
Mfr:
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500nA (ไอซีบีโอ)
กำลัง - สูงสุด:
300MW
กล่อง / กระเป๋า:
SC-74, SOT-457
อุณหภูมิการทํางาน:
150°C (ทีเจ)
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
560 @ 10mA, 3V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
IMX9
คําแนะนํา
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 500mA 350MHz 300mW พื้นที่ติดตั้ง SMT6
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: