EMX3T2R
ผู้ผลิต:
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
คําอธิบาย:
ทรานส์ 2NPN 50V 0.15A 6EMT
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
150mA
สถานะสินค้า:
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภททรานซิสเตอร์:
2 NPN (คู่)
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
ความถี่ - การเปลี่ยน:
180MHz
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
เทปตัด (CT)
Digi-Reel®
ซีรี่ย์:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
400mV @ 5mA, 50mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50V
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
อีเอ็มที6
Mfr:
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100nA (ไอซีบีโอ)
กำลัง - สูงสุด:
150mW
กล่อง / กระเป๋า:
SOT-563, SOT-666
อุณหภูมิการทํางาน:
150°C (ทีเจ)
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 6V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
EMX3T2
คําแนะนํา
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW พื้นที่ติด EMT6
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: