MMBT4401LT1G
ผู้ผลิต:
ออนเซมิ
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT 600mA 60V NPN
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
เอ็น.พี.เอ็น
ประเภทสินค้า:
ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - BJT
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
กระแส DC Collector สูงสุด:
0.6 ก
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
40 โวลต์
กล่อง / กระเป๋า:
สท-23-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
รับแบนด์วิดท์ผลิตภัณฑ์ fT:
250 เมกะเฮิรตซ์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
คอลเลคเตอร์ - แรงดันฐาน VCBO:
60 โวลต์
ซีรี่ย์:
MMBT4401L
อิมิตเตอร์- แรงดันเบส VEBO:
6 โวลต์
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์:
0.75 โวลต์
ผู้ผลิต:
เซมี่
คําแนะนํา
MMBT4401LT1G จาก onsemi เป็น Bipolar Transistors - BJT สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลกหากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: