2SC5707-E
ผู้ผลิต:
ออนเซมิ
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT BIP NPN 8A 50V
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
เอ็น.พี.เอ็น
ประเภทสินค้า:
ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - BJT
สไตล์การติดตั้ง:
ผ่านหลุม
กระแส DC Collector สูงสุด:
11 ก
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
50 โวลต์
กล่อง / กระเป๋า:
ทีโอ-251-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
รับแบนด์วิดท์ผลิตภัณฑ์ fT:
330 เมกะเฮิรตซ์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
คอลเลคเตอร์ - แรงดันฐาน VCBO:
100 โวลต์
ซีรี่ย์:
2SC5707
อิมิตเตอร์- แรงดันเบส VEBO:
6 โวลต์
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์:
160 มิลลิโวลต์, 110 มิลลิโวลต์
ผู้ผลิต:
เซมี่
คําแนะนํา
2SC5707-E จาก onsemi เป็น Bipolar Transistors - BJT สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: