2SB1386T100Q
ผู้ผลิต:
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT PNP 20V 5A
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
พนง
ประเภทสินค้า:
ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - BJT
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
กระแส DC Collector สูงสุด:
5 ก
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
- 20 โวลต์
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
รับแบนด์วิดท์ผลิตภัณฑ์ fT:
120 เมกะเฮิรตซ์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
คอลเลคเตอร์ - แรงดันฐาน VCBO:
- 30 โวลต์
อิมิตเตอร์- แรงดันเบส VEBO:
- 6 โวลต์
ผู้ผลิต:
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
คําแนะนํา
2SB1386T100Q จาก ROHM Semiconductor เป็น Bipolar Transistors - BJT สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: