IXYH40N120C3D1
ผู้ผลิต:
ไอซีเอส
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์ IGBT XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
กระแสไฟฟ้ารั่วไหลของเกท-อิมิตเตอร์:
100 นาโนเมตร
ประเภทสินค้า:
IGBT ทรานซิสเตอร์
สไตล์การติดตั้ง:
ผ่านหลุม
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 องศาเซลเซียส:
64 ก
Pd - การกระจายพลังงาน:
480 วัตต์
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
1200 โวลต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
แรงดันอิมิตเตอร์เกตสูงสุด:
30 โวลต์
การบรรจุ:
ท่อ
การตั้งค่า:
เดี่ยว
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์:
4.8 โวลต์
ผู้ผลิต:
IXYS
คําแนะนํา
IXYH40N120C3D1 จาก IXYS เป็น IGBT Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นส่วนเดิมและชิ้นส่วนใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: