FGA50N100BNTD2
ผู้ผลิต:
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
คําอธิบาย:
IGBT ทรานซิสเตอร์ N-ch / 50A 1000V
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
กระแสไฟฟ้ารั่วไหลของเกท-อิมิตเตอร์:
500 นาโนเมตร
ประเภทสินค้า:
IGBT ทรานซิสเตอร์
สไตล์การติดตั้ง:
ผ่านหลุม
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 องศาเซลเซียส:
50 อ
Pd - การกระจายพลังงาน:
156 ว
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
1,000 โวลต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-3PN
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
แรงดันอิมิตเตอร์เกตสูงสุด:
25 โวลต์
การบรรจุ:
ท่อ
การตั้งค่า:
เดี่ยว
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์:
1.5 โวลต์
ผู้ผลิต:
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
คําแนะนํา
FGA50N100BNTD2 จาก Fairchild Semiconductor เป็น IGBT Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
FGA20N120FTDTU
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
FGH60N60SMD
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
FGL40N120ANTU
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
FGH60N60UFDTU
FGH75T65UPD
FGH40N60SMDF
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
FGA20N120FTDTU |
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
|
|
|
|
FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
|
|
|
|
FGL40N120ANTU |
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
|
|
|
|
FGH60N60UFDTU |
|
|
|
|
FGH75T65UPD |
|
|
|
|
FGH40N60SMDF |
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: