STGW60H65DFB
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
คําอธิบาย:
IGBT ทรานซิสเตอร์ 600V 60A ประตูร่องลึก IGBT
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
กระแสไฟฟ้ารั่วไหลของเกท-อิมิตเตอร์:
250 นาโนเมตร
ประเภทสินค้า:
IGBT ทรานซิสเตอร์
สไตล์การติดตั้ง:
ผ่านหลุม
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 องศาเซลเซียส:
80 อ
Pd - การกระจายพลังงาน:
375 ว
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
650 โวลต์
กล่อง / กระเป๋า:
TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 175 ซ
แรงดันอิมิตเตอร์เกตสูงสุด:
20 โวลต์
การบรรจุ:
ท่อ
การตั้งค่า:
เดี่ยว
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์:
1.6 โวลต์
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
คําแนะนํา
STGW60H65DFB จาก STMicroelectronics เป็น IGBT Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
STGWA60H65DFB
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
STGW45HF60WD
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
STGW40H120F2
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
STGWA60H65DFB |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
|
|
|
|
STGW40H120F2 |
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: