K4B4G1646D-BCMA
ผู้ผลิต:
ซัมซุงเซลมิกอนดักเตอร์
คําอธิบาย:
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ความหนาแน่น:
4 กิกะไบต์
ประเภทสินค้า:
ไอซีหน่วยความจำ
การบรรจุ:
ตะกร้า
โวลเตชั่น:
1.5V
แพ็คเกจ:
FBGA-96
อุณหภูมิ:
0 ~ 85 องศาเซลเซียส
องค์กร:
256ม.x16
เป็นไปตามมาตรฐาน:
สีเขียวที่มีอยู่
สถานะสินค้า:
การผลิตจำนวนมาก
ความเร็ว:
1866 Mbps
ผู้ผลิต:
สารกึ่งตัวนำของซัมซุง
คําแนะนํา
K4B4G1646D-BCMA จาก Samsung Semiconductor เป็น Memory ICs สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
Related Products
K9F4G08U0B-PCB0
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
K4S641632K-UC60
64Mb K-die SDRAM
K9F2G08U0D-SCB0
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
KLUEG8U1EM-B0B1
Memory IC
K4B2G1646F-BCK0
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K9F1G08U0E-SCB0
1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12
Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64Mb K-die SDRAM
|
|
|
|
K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
KLUEG8U1EM-B0B1 |
Memory IC
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-die NAND Flash
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Graphic Memory
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: