DMG1016UDW-7
ผู้ผลิต:
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
คําอธิบาย:
มอสเฟต N/P-CH 20V SOT363
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
สทศ-363
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
สต๊อกโรงงาน:
0
ปริมาณขั้นต่ำ:
3000
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
60.67pF @ 10V
กล่อง / กระเป๋า:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
สถานะชิ้นส่วน:
กิจกรรม
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C:
1.07A, 845mA
การบรรจุ:
เทป & รีล (TR)
@ จำนวน:
0
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภท FET:
N และ P-Channel
คุณสมบัติ FET:
ประตูระดับลอจิก
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss):
20V
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:
0.74nC @ 4.5V
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:
450 มิลลิโอห์ม @ 600mA, 4.5V
กำลัง - สูงสุด:
330mW
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส:
1V @ 250µA
ซีรี่ย์:
-
ผู้ผลิต:
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
คําแนะนํา
DMG1016UDW-7 จาก Diodes Incorporated เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นส่วนเดิมและชิ้นส่วนใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
DMG1012T-7
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
DMG2302UK-7
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMP2008UFG-7
MOSFET 20V P-CH MOSFET
DMP6023LFGQ-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2N7002DW-7-F
MOSFET 60V 200mW
BSS138DW-7-F
MOSFET 50V 200mW
BSS138W-7-F
MOSFET 50V 200mW
DMTH6005LK3Q-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
สบส84-7-ฉ
MOSFET -50V 250mW
DMN61D9UW-7
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
|
|
|
|
DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
|
|
|
|
DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
|
|
|
|
DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
|
|
2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
|
|
|
|
BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
|
|
BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
|
|
DMTH6005LK3Q-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
|
|
สบส84-7-ฉ |
MOSFET -50V 250mW
|
|
|
|
DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: