FDS86141
ผู้ผลิต:
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
คําอธิบาย:
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
N-ช่อง
เทคโนโลย:
ศรี
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
ชื่อการค้า:
พาวเวอร์เทรนช์
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ:
- 55 องศาเซลเซียส
กล่อง / กระเป๋า:
SO-8
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
100 โวลต์
การบรรจุ:
รอก
Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส:
3.1 โวลต์
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง:
7 อ
Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source:
23 โมห์ม
จํานวนช่องทาง:
1 ช่อง
Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส:
20 โวลต์
Qg - ค่าธรรมเนียมประตู:
6.7 นาโนซี
ผู้ผลิต:
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
คําแนะนํา
FDS86141 จาก Fairchild Semiconductor เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและชิ้นส่วนใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
Related Products
FDP3632
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
NDS9948
MOSFET Dual PCh PowerTrench
FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
BSS138K
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
FQB34P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET
FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET
FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
FDPF10N60NZ
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
FDMS8460
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
FDP3632 |
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
|
|
|
|
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
|
|
|
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
|
|
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
|
|
|
|
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
|
|
|
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
|
|
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
|
|
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
|
|
|
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
|
|
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: