IXTT110N10L2
ผู้ผลิต:
ไอซีเอส
คําอธิบาย:
MOSFET ลิเนียร์ขยาย FBSOA กำลัง MOSFET
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
N-ช่อง
เทคโนโลย:
ศรี
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง:
110 ก
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ:
- 55 องศาเซลเซียส
กล่อง / กระเป๋า:
TO-268-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
โหมดช่อง:
การเพิ่มประสิทธิภาพ
Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
100 โวลต์
การบรรจุ:
ท่อ
Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส:
2.5 โวลต์
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source:
18 มิลลิโอห์ม
จํานวนช่องทาง:
1 ช่อง
Qg - ค่าธรรมเนียมประตู:
260 เอ็นซี
ผู้ผลิต:
IXYS
คําแนะนํา
IXTT110N10L2 จาก IXYS เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
สินค้า:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
สินค้า: |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: