IRF7342TRPBF
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
พี-แชนแนล
เทคโนโลย:
ศรี
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
กล่อง / กระเป๋า:
SO-8
Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
- 55 โวลต์
การบรรจุ:
รอก
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง:
- 3.4 ก
Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source:
105 โมห์ม
จํานวนช่องทาง:
2 ช่อง
Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส:
20 โวลต์
Qg - ค่าธรรมเนียมประตู:
26 เอ็นซี
ผู้ผลิต:
นักลงทุนสัมพันธ์ / อินฟิเนียน
คําแนะนํา
IRF7342TRPBF จาก IR / Infineon เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นส่วนเดิมและชิ้นส่วนใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง

IRF7343TRPBF
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A

IRF100B201
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

IRL7486MTRPbF
MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET
ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
---|---|---|---|
![]() |
IRF7343TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
|
|
![]() |
IRF100B201 |
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
|
|
![]() |
IRL7486MTRPbF |
MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: