2N7002WT1G
ผู้ผลิต:
ออนเซมิ
คําอธิบาย:
MOSFET สัญญาณเล็ก MOSFET 6.8V LO C
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
N-ช่อง
เทคโนโลย:
ศรี
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง:
310 ม.ม
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ:
- 55 องศาเซลเซียส
กล่อง / กระเป๋า:
SC-70-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
โหมดช่อง:
การเพิ่มประสิทธิภาพ
Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
60 โวลต์
การบรรจุ:
รอก
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
จํานวนช่องทาง:
1 ช่อง
Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส:
20 โวลต์
Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source:
1.6 โอม
ผู้ผลิต:
เซมี่
คําแนะนํา
2N7002WT1G จาก onsemi เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
Related Products
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
FQP50N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
|
|
|
FQP50N06 |
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: