จันทซ์1N5811US
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีไมโครชิป
คําอธิบาย:
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Product Status:
Active
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:
5 µA @ 150 โวลต์
Mounting Type:
Surface Mount
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:
875 มิลลิโวลต์ @ 4 ก
Package:
Bulk
ซีรี่ย์:
ทหาร MIL-PRF-19500/477
Capacitance @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
B, SQ-MELF
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
SQ-MELF, B
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
150 V
Current - Average Rectified (Io):
3A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N5811
คําแนะนํา
ไดโอเดส 150 V 3A การติดตั้งพื้นผิว B, SQ-MELF
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: