IXXN110N65B4H1
ผู้ผลิต:
ไอซีเอส
คําอธิบาย:
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
IGBTs
IGBT Modules
Current - Collector (Ic) (Max):
215 A
Product Status:
Active
Mounting Type:
Chassis Mount
Package:
Tube
Series:
XPT™, GenX4™
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 110A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
ไอซีเอส
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
50 μA
IGBT Type:
PT
กำลัง - สูงสุด:
750 วัตต์
Input:
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce:
3.65 nF @ 25 V
Configuration:
Single
NTC Thermistor:
No
Base Product Number:
IXXN110
คําแนะนํา
โมดูล IGBT PT Single 650 V 215 A 750 W ชาซิมอนท์ SOT-227B
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: