จันทซ์1N5417
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีไมโครชิป
คําอธิบาย:
ไดโอเดส GEN PURP 200V 3A AXIAL
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 200 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.5 V @ 9 A
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/411
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
B, Axial
Reverse Recovery Time (trr):
150 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
B, Axial
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):
200 โวลต์
Current - Average Rectified (Io):
3A
ความเร็ว:
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N5417
คําแนะนํา
ไดโอเดส 200 V 3A ผ่านรู B, Axial
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: