จันทซ์1N6622US
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีไมโครชิป
คําอธิบาย:
DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Product Status:
Active
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:
500 nA @ 660 โวลต์
Mounting Type:
Surface Mount
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:
1.4 โวลต์ @ 1.2 ก
Package:
Bulk
ซีรี่ย์:
ทหาร MIL-PRF-19500/585
Capacitance @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
D-5A
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 150°C
Package / Case:
SQ-MELF, A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
660 V
Current - Average Rectified (Io):
2A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N6622
คําแนะนํา
ไดโอเดส 660 V 2A การติดตั้งพื้นผิว D-5A
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: