ส่งข้อความ

RQ3E100ATTB

ผู้ผลิต:
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
คําอธิบาย:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
กล่อง / กระเป๋า:
8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
42 nC @ 10 V
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:
11.4mOhm @ 10A, 10V
ประเภท FET:
พี-แชนแนล
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1900 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-HSMT (3.2x3)
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
10A (Ta), 31A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RQ3E100
คําแนะนํา
P-Channel 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) การติดตั้งพื้นผิว 8-HSMT (3.2x3)
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: