ส่งข้อความ

SI7157DP-T1-GE3

ผู้ผลิต:
Vishay ซิลิคอนิกซ์
คําอธิบาย:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
คุณสมบัติ FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:
625 เอ็นซี @ 10 โวลต์
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.6mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
22000 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7157
คําแนะนํา
P-Channel 20 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) พื้นที่ติดตั้ง PowerPAK® SO-8
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: