IXFP12N50P

ผู้ผลิต:
ไอซีเอส
คําอธิบาย:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
คุณสมบัติ FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 1mA
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:
29 นาโนซี @ 10 โวลต์
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
500mOhm @ 6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1830 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
200W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFP12
คําแนะนํา
N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) ผ่านหลุม TO-220-3
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: