สเปนเซียน / ไซเปรส
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | สต็อค | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MB3771PF-G-BND-JN-EFE1 |
วงจรควบคุมการตรวจสอบแหล่งจ่ายไฟ
|
|
|
|
|
|
|
MB3773PF-G-BND-JN-ERE1 |
วงจรควบคุม การตรวจสอบอุปทาน PWR พร้อมตัวจับเวลาแบบ Watch-dog
|
|
|
|
|
|
|
MB3771PF-G-BND-JN-ERE1 |
วงจรควบคุมการตรวจสอบแหล่งจ่ายไฟ
|
|
|
|
|
|
|
S29GL256N11TFI010 |
หน่วยความจำแฟลชโหมดเพจ 3.0 โวลต์เท่านั้น มาพร้อมเทคโนโลยีการประมวลผล MirrorBit™ ขนาด 110 นาโนเมตร
|
|
|
|
|
|
|
S29JL032H70TFI010 |
หน่วยความจำแฟลช 32M BIT CMOS 3.0V
|
|
|
|
|
|
|
S34ML01G100TFI000 |
หน่วยความจำแฟลช 1Gb 3V 25ns NAND Flash
|
|
|
|
|
|
|
S25FL127SABBHIC00 |
หน่วยความจำแฟลช 128MB 3V 108MHz อนุกรม NOR Flash
|
|
|
|
|
|
|
S29WS512P0SBFW000 |
หน่วยความจำแฟลช 512Mb 1.8V 80Mhz แฟลช NOR แบบขนาน
|
|
|
|
|
|
|
S29WS256P0PBFW000 |
หน่วยความจำแฟลช 256Mb 1.8V 66Mhz แฟลช NOR แบบขนาน
|
|
|
|
|
|
|
S34MS04G100BHI000 |
หน่วยความจำแฟลช 4G, 1.8V, 45ns NAND Flash
|
|
|
|
|
|
|
S34MS01G100BHI000 |
หน่วยความจำแฟลช 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash
|
|
|
|
|
|
|
S34ML04G200TFI003 |
หน่วยความจำแฟลช 4G, 3V, 25ns NAND Flash
|
|
|
|
|
|
|
S25FL064P0XMFI003 |
หน่วยความจำแฟลช 64M CMOS 3V 104MHz อนุกรม NOR Flash
|
|
|
|
|
|
|
S29GL032N11TFIV20 |
หน่วยความจำแฟลช 32MB 2.7-3.6V 110ns แฟลช NOR แบบขนาน
|
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFI020 |
หน่วยความจำแฟลช 32MB 2.7-3.6V 90ns แฟลช NOR แบบขนาน
|
|
|
|
|
|
|
S25FL032P0XNFI011 |
หน่วยความจำแฟลช 4M CMOS 3V 50MHZ อนุกรม NOR Flash
|
|
|
|
|
|
|
S34MS02G200BHI000 |
หน่วยความจำแฟลช 4-BIT ECC, X8 I/O และ 1.8V VCC
|
|
|
|
|
|
|
S29GL128N10TFI02 |
หน่วยความจำแฟลชโหมดเพจ 3.0 โวลต์เท่านั้น มาพร้อมเทคโนโลยีการประมวลผล MirrorBit™ ขนาด 110 นาโนเมตร
|
|
|
|
|
|
|
S29AL032D90TAI040 |
32 เมกะบิต CMOS 3.0 โวลต์หน่วยความจำแฟลชเท่านั้น
|
|
|
|
1