ตัวกรอง
ตัวกรอง
เซมิคอนดักเตอร์
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | สต็อค | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
TL072CDR |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ Dual JFET Op Amp
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
LM321MFX/นพ |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ LOW PWR SGL OP AMP
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
OPA2197IDR |
แอมพลิฟายเออร์ที่มีความแม่นยำ 36-V, ความแม่นยำ, เอาต์พุตอินพุตแบบรางต่อราง, แรงดันออฟเซ็ตต่ำ ออปแอมป
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
ISL55004IBZ-T13 |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ ISL59114IRUZ YC เป็นคอมโพสิต VID DRVR
|
อินเตอร์ซิล
|
|
|
|
|
|
ICL7650SCBA-1ZT |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ OPAMP SUPER CHOPPER เสถียร COMEL
|
อินเตอร์ซิล
|
|
|
|
|
|
CA3130MZ96 |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ W/ANNEAL OPAMP 15MHZ LWBIAS 0 03NA COMP
|
อินเตอร์ซิล
|
|
|
|
|
|
BA4558 |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ OPAMP DUAL
|
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
CA3240EZ |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ OPAMP 2X 4.5MHZ LWBI AS 0.05NA 8PDIP
|
อินเตอร์ซิล
|
|
|
|
|
|
CA3130AMZ |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ W/ANNEAL OPAMP 15MHZ LWBIAS 0 03NA MIL
|
อินเตอร์ซิล
|
|
|
|
|
|
CA3140AEZ |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ OPAMP 4.5MHZ LWBIAS 0.04NA
|
อินเตอร์ซิล
|
|
|
|
|
|
LM258DR2G |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ 3-32V Dual Low Bias -25 ถึง 85deg C
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
LF444CMX/นพบ |
วงจรขยายสัญญาณเชิงดำเนินการ - ออปแอมป์ Quad Low Pwr JFET อินพุตออปแอมป์
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
TLV2333IDR |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ TLVx333 Zero-Drift CMOS วงจรขยายสัญญาณ 8-SOIC -40 ถึง 125
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
TLV2374IDR |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ Quad 3MHz R/R
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
EL5205ISZ |
เครื่องขยายสัญญาณเชิงดำเนินการความเร็วสูง EL5205ISZ DL 750MHZ SEVFA
|
อินเตอร์ซิล
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ Dual Low Noise Op
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
MCP6004T-I/ST |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์ Quad 1.8V 1MHz
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
MCP6002-I/SN |
วงจรขยายสัญญาณ - ออปแอมป์คู่ 1.8V 1MHz
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
TL074IDR |
เครื่องขยายสัญญาณเชิงดำเนินการ - อินพุต JFET เสียงรบกวนต่ำแบบ Quad Amps
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
TL084CN |
ไอซีออปแอมป์ JFET 3MHZ 14DIP
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
CLC1005IST5X |
วงจรขยายสัญญาณเชิงดำเนินการความเร็วสูง SGL ต้นทุนต่ำ 2.7V ถึง 5V 260MHz RR Amp
|
เอ็กซ์ซาร์
|
|
|
|
|
|
EL5462ISZ |
วงจรขยายสัญญาณเชิงดำเนินการความเร็วสูง EL5462ISZ 300MHZ LW PWR CUR FEEDBACK AMP
|
อินเตอร์ซิล
|
|
|
|
|
|
LM393AMX |
เครื่องมือเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก เครื่องมือเปรียบเทียบแบบคู่
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
MCP6542T-I/SN |
เครื่องมือเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก Dual 1.6V Push/Pull
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
LM293DR2G |
เครื่องเปรียบเทียบอนาล็อก 2-36V Dual -25 ถึง 85 deg C
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
LM2901DR2G |
เครื่องเปรียบเทียบอนาล็อก 3-36V Qud Comparator -40 ถึง 105 องศา C
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
LM2901DR |
เครื่องมือเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก Quad Diff Ind Temp
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
LM193DR |
เครื่องมือเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก Dual Diff GP
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
TLV3501AIDBVR |
เครื่องเปรียบเทียบอนาล็อก 4.5ns ความเร็วสูงแบบรางต่อราง
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
เครื่องมือเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก GP เดี่ยว LV
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
LM339N |
เครื่องเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก Quad Differential
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
IS64WV102416BLL-10MA3 |
SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
BA10393N |
เครื่องมือเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก เครื่องมือเปรียบเทียบแบบคู่
|
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-8TL |
SRAM 1Mb 64Kx16 8ns Async SRAM 3.3v
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
BA10339F-E2 |
เครื่องมือเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก Quad Comparator
|
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
KA2803BDTF |
เครื่องเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก เครื่องตรวจจับการรั่วไหลของโลก
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10TL |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
ตัวเปรียบเทียบแบบอะนาล็อกดิฟเฟอเรนเชียลพร้อม Strob
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
24LC64-I/SN |
ไอซีอีพรอม 64K I2C 400KHZ 8SOIC
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
W25Q128JVSIM |
ไอซีแฟลช 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
|
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
เครื่องเปรียบเทียบแบบอะนาล็อก Single/Dual Diff
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
MT40A512M8RH-083E:บี |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
เทคโนโลยีไมครอน
|
|
|
|
|
|
IS61LV2568L-10T |
SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-10TL-TR |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v อะซิงค์ SRAM 3.3v
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
ไอซีDRAM 1G Parallel 96WBGA
|
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
|
|
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
ไอซี แรม 256M ขนาน 66TSOP II
|
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-10TL |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v อะซิงค์ SRAM 3.3v
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS61LV6416-10BLI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS63LV1024L-10TLI |
SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS61LV12816L-10TLI |
SRAM 2Mb 128Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
|
ไอเอสไอ
|
|
|