ตัวกรอง
ตัวกรอง
เครื่องวงจรบูรณาการ - ICs
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | สต็อค | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
S29GL032N90TFI030 |
หน่วยความจำแฟลช 3V 32Mb Float Gate สองที่อยู่ 90s
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
S29GL064N90TFI010 |
หน่วยความจำแฟลช 64Mb 3V 90ns แฟลช NOR แบบขนาน
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IS42S16320B-6TL |
DRAM 512M (32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
เทคโนโลยีไมครอน
|
|
|
|
|
|
NT1การจัดตั้ง |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
|
เทคโนโลยีไมครอน
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128AL-125KBL |
DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
K4B1G1646G-BCH9 |
ข้อมูลจำเพาะ SDRAM D-die DDR3 1Gb
|
ซัมซุงเซลมิกอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
K4G80325FB-HC25 |
หน่วยความจำกราฟิก
|
ซัมซุงเซลมิกอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
M29DW128G70NF6E |
NOR แฟลชคู่ขนาน 128Mbit 16 56/56
|
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100C-50KLI-TR |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM แบบอะซิงก์
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-15HBLI |
DRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
S29CD016J0PQAM113 |
แฟลชเมมโมรี่ NOR
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IS43TR16640A-125JBLI |
DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS41C16100C-50KLI |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM แบบอะซิงค์
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-15HBLI |
DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-125KBLI |
DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-125KBLI |
DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-125KBL |
DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
S29GL128N90FFAR22 |
แฟลชเมมโมรี่ NOR
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
THGBMFG6C1LBAIL |
หน่วยความจำแฟลช 8GB NAND EEPROM
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFIS30 |
หน่วยความจำแฟลช 32Mb 3V 90ns แฟลช NOR แบบขนาน
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
หน่วยความจำแฟลช 16GB NAND EEPROM พร้อม CQ
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
S70FL256P0XMFI001 |
หน่วยความจำแฟลช 256M, 3.0V, 104Mhz SPI NOR Flash
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
S25FL116K0XMFI041 |
หน่วยความจำแฟลช 16M, 3V, 108Mhz อนุกรม NOR Flash
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IS25LQ020B-JNLE-TR |
หน่วยความจำแฟลช 2Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS25LQ032B-JBLE |
หน่วยความจำแฟลช 32M SPI, SOP 8 พิน 208mil ET 2.3-3.6V
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
S29JL032J70TFI220 |
หน่วยความจำแฟลช แฟลช 32MB 3.0V 70ns แฟลช NOR แบบขนาน
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
S34MS04G100BHI000 |
หน่วยความจำแฟลช 4G, 1.8V, 45ns NAND Flash
|
สเปนเซียน / ไซเปรส
|
|
|
|
|
|
S34ML01G200BHV000 |
หน่วยความจำแฟลช Nand
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
S34MS01G100BHI000 |
หน่วยความจำแฟลช 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash
|
สเปนเซียน / ไซเปรส
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90TFI023 |
หน่วยความจำแฟลช 32MB 2.7-3.6V 90ns แฟลช NOR แบบขนาน
|
ไซเปรส เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IS25WP016D-จูล-TR |
NOR Flash 16Mb QSPI, 8-pin USON 2X3MM, RoHS, T&R
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
TC58NVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-125KBLI-TR |
แรม 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-107MBLI |
DRAM 4G, 1.5V, 1866MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128CL-125KBL |
DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-15HBL |
DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16512AL-125KBL |
DRAM DDR3L,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43DR16128B-25EBLI |
DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL6, 84 บอล BGA (10.5มม.x13.5มม.) RoHS, IT
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-125KBLI |
DRAM 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L SDAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS46TR16128B-15HBLA1 |
DRAM ยานยนต์ (Tc: -40 ถึง +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 บอล BGA (9มม. x13มม.)
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100C-50TLI |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM แบบอะซิงก์
|
ไอเอสไอ
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128BL-125KBL |
DRAM 2G, 1.35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
|
ไอเอสไอ
|
|
|