logo
ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > สารกึ่งตัวนำที่ไม่ต่อเนื่อง
ตัวกรอง
ตัวกรอง

สารกึ่งตัวนำที่ไม่ต่อเนื่อง

ภาพส่วนหนึ่ง #คําอธิบายผู้ผลิตสต็อคRFQ
IXBH12N300

IXBH12N300

IGBT ทรานซิสเตอร์
ไอซีเอส
IXYX25N250CV1HV

IXYX25N250CV1HV

ทรานซิสเตอร์ IGBT 2500V/95A, HV XPT IGBT Copacked
ไอซีเอส
IKW75N65ES5

IKW75N65ES5

ทรานซิสเตอร์ IGBT Trenchstop 5 IGBT
อินฟินไอน เทคโนโลยี
IXBK55N300

IXBK55N300

IGBT ทรานซิสเตอร์
ไอซีเอส
IKW40N120T2

IKW40N120T2

ทรานซิสเตอร์ IGBT LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FZ1600R17HP4

FZ1600R17HP4

โมดูล IGBT IGBT 1700V 1600A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FNA41560B2

FNA41560B2

โมดูล IGBT โมดูลพลังงานอัจฉริยะ Motion-SPM
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
FF650R17IE4

FF650R17IE4

โมดูล IGBT N-CH 1.7KV 930A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FS450R12KE3

FS450R12KE3

โมดูล IGBT 1200V 450A 3 เฟส
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FSAM30SH60A

FSAM30SH60A

โมดูล IGBT 600V/30A/ SPM2
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
IXGH60N60C3D1

IXGH60N60C3D1

โมดูล IGBT 60 แอมป์ 600V
ไอซีเอส
FP75R12KT4

FP75R12KT4

โมดูล IGBT 1.85V IGBT 4 PIM
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF1000R17IE4

FF1000R17IE4

โมดูล IGBT N-CH 1.7KV 1.39KA
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF300R17KE3

FF300R17KE3

โมดูล IGBT N-CH 1.7KV 404A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF900R12IE4

FF900R12IE4

โมดูล IGBT IGBT 1200V 900A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FP100R12KT4

FP100R12KT4

โมดูล IGBT IGBT-MODULE
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF1200R17KP4_B2

FF1200R17KP4_B2

โมดูล IGBT IGBT 1700V 1200A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF600R17ME4

FF600R17ME4

โมดูล IGBT โมดูล IGBT คู่ EconoDUAL 3 1700V พร้อม Trench/Fieldstop IGBT4, ไดโอดควบคุมด้วยตัวส่งสัญญา
อินฟินไอน เทคโนโลยี
VUB145-16NOXT

VUB145-16NOXT

โมดูล IGBT สะพานเรียงกระแส 3 เฟสพร้อม IGBT
ไอซีเอส
AUIRGDC0250

AUIRGDC0250

IGBT 1200V 141A 543W TO-220
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FP30R06W1E3

FP30R06W1E3

โมดูล IGBT N-CH 600V 37A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FS100R12KT4G

FS100R12KT4G

โมดูล IGBT N-CH 1.2KV 100A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
F3L150R07W2E3_B11

F3L150R07W2E3_B11

โมดูล IGBT โมดูล IGBT 650V 150A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FP100R06KE3

FP100R06KE3

โมดูล IGBT N-CH 600V 100A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF150R12KS4

FF150R12KS4

โมดูล IGBT 1200V 150A DUAL
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF450R12KT4

FF450R12KT4

โมดูล IGBT N-CH 1.2KV 580A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
IKQ100N60T

IKQ100N60T

IGBT 600V TO247-3
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FNA22512A

FNA22512A

โมดูล IGBT 1200V 25A โมดูลพลังงานอัจฉริยะอินเวอร์เตอร์
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
FF200R12KT4

FF200R12KT4

โมดูล IGBT N-CH 1.2KV 320A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF600R12ME4

FF600R12ME4

โมดูล IGBT IGBT 1200V 600A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
2MBI200U4H-120

2MBI200U4H-120

โมดูล IGBT
ฟูจิ อิเล็กทริก
2SB1184TLQ

2SB1184TLQ

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
NJVNJD2873T4G

NJVNJD2873T4G

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
ออนเซมิ
ZXTN649FTA

ZXTN649FTA

Bipolar Transistors - BJT Zetex Med. ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT Zetex Med Power
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
2SA1900T100Q

2SA1900T100Q

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT PNP 50V 1A SO-89
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
DSA200200L

DSA200200L

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8มม.
ปานาซอนิกส์
DSA7101R0L

DSA7101R0L

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
ปานาซอนิกส์
2SC2412KT146R

2SC2412KT146R

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT NPN 50V 0.15A
โรห์ม เซมคอนดักเตอร์
2SB1205T-TL-E

2SB1205T-TL-E

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT BIP PNP 5A 20V
ออนเซมิ
FCX495TA

FCX495TA

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT NPN กำลังปานกลาง
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
2SC5200-O(คิว)

2SC5200-O(คิว)

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT NPN 230V 15A
โตชิบา
BCW66HTA

BCW66HTA

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT NPN ความอิ่มตัวต่ำ
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
MMBT3906-7-F

MMBT3906-7-F

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT 40V 300mW
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
MMBT3904T-7-F

MMBT3904T-7-F

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT 40V 150mW
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
FZT651TA

FZT651TA

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT NPN กำลังปานกลาง
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
FZT857TA

FZT857TA

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT NPN ไฟฟ้าแรงสูง
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
ZXTN2010ZTA

ZXTN2010ZTA

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT 60V NPN Med Power
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
PZT2222AT1G

PZT2222AT1G

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT 600mA 75V NPN
ออนเซมิ
MJD45H11-1G

MJD45H11-1G

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT 8A 80V 20W PNP
ออนเซมิ
MMBTA42-7-F

MMBTA42-7-F

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT 300V 300mW
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
55 56 57 58 59