MMBTA56-7-F
ผู้ผลิต:
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT 80V 300mW
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
พนง
ประเภทสินค้า:
ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - BJT
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
กระแส DC Collector สูงสุด:
0.5 ก
แรงดันคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ VCEO Max:
- 80 โวลต์
กล่อง / กระเป๋า:
สท-23-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
รับแบนด์วิดท์ผลิตภัณฑ์ fT:
50 เมกะเฮิรตซ์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
คอลเลคเตอร์ - แรงดันฐาน VCBO:
- 80 โวลต์
ซีรี่ย์:
กพท.56
อิมิตเตอร์- แรงดันเบส VEBO:
- 4 โวลต์
แรงดันอิ่มตัวของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์:
- 0.25 โวลต์
ผู้ผลิต:
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
คําแนะนํา
MMBTA56-7-F จาก Diodes Incorporated เป็น Bipolar Transistors - BJT สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: