คิวพีดี1000
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
N-ช่อง
เทคโนโลย:
กาน ซิซี
ประเภทสินค้า:
ทรานซิสเตอร์ RF JFET
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
ประโยชน์:
19 เดซิเบล
ประเภททรานซิสเตอร์:
เฮ็มท์
พลังการออก:
24 ว
กล่อง / กระเป๋า:
คิวเอฟเอ็น-8
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 85 องศาเซลเซียส
Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
28 โวลต์
การบรรจุ:
ตะกร้า
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง:
817 มิลลิแอมป์
Vgs - แรงดันพังทลายระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด:
100 โวลต์
Pd - การกระจายพลังงาน:
28.8 วัตต์
ผู้ผลิต:
คอร์โว
คําแนะนํา
QPD1000 จาก Qorvo เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
Related Products

T2G6000528-Q3
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz

TGF2978-SM
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB

T2G6001528-SG
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN

QPD3601
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN

QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

TGF3015-SM
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

ทีจีเอฟ2953
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
---|---|---|---|
![]() |
T2G6000528-Q3 |
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
![]() |
TGF2978-SM |
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
|
|
![]() |
T2G6001528-SG |
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
|
|
![]() |
QPD3601 |
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
|
|
![]() |
QPD1015L |
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
|
|
![]() |
TGF3015-SM |
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
|
|
![]() |
ทีจีเอฟ2953 |
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: