ส่งข้อความ

QPD3601

ผู้ผลิต:
คอร์โว
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์ RF JFET 3.4-3.6GHz 50V 180 วัตต์ GaN
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
N-ช่อง
เทคโนโลย:
กาน ซิซี
ประเภทสินค้า:
ทรานซิสเตอร์ RF JFET
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
ประโยชน์:
22 เดซิเบล
ประเภททรานซิสเตอร์:
เฮ็มท์
พลังการออก:
180 วัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
NI400-2
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 85 องศาเซลเซียส
Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
50 โวลต์
การบรรจุ:
วาฟเฟิล
แรงดันประตูระบายน้ำสูงสุด:
55 โวลต์
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง:
360 มิลลิแอมป์
Pd - การกระจายพลังงาน:
60.9 วัตต์
ผู้ผลิต:
คอร์โว
คําแนะนํา
QPD3601 จาก Qorvo เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ภาพ ส่วนหนึ่ง # คําอธิบาย
T2G6000528-Q3

T2G6000528-Q3

RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
TGF2978-SM

TGF2978-SM

RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
T2G6001528-SG

T2G6001528-SG

RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
QPD1015L

QPD1015L

RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
TGF3015-SM

TGF3015-SM

RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
คิวพีดี1000

คิวพีดี1000

RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
ทีจีเอฟ2953

ทีจีเอฟ2953

RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: