FDD3510H
ผู้ผลิต:
ออนเซมิ
คําอธิบาย:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-252-4L
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
สต๊อกโรงงาน:
75000
ปริมาณขั้นต่ำ:
2500
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
800pF @ 40V
กล่อง / กระเป๋า:
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
สถานะชิ้นส่วน:
กิจกรรม
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C:
4.3A, 2.8A
การบรรจุ:
เทป & รีล (TR)
@ จำนวน:
0
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภท FET:
N และ P-Channel, ท่อระบายน้ำทั่วไป
คุณสมบัติ FET:
ประตูระดับลอจิก
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss):
80V
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:
18nC @ 10V
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:
80 มิลลิโอห์ม @ 4.3A, 10V
กำลัง - สูงสุด:
1.3W
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส:
4V @ 250µA
ซีรี่ย์:
PowerTrench®
ผู้ผลิต:
เซมี่
คําแนะนํา
FDD3510H จาก onsemi เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
Related Products
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: