FQP3P50
ผู้ผลิต:
ออนเซมิ
คําอธิบาย:
มอสเฟต P-CH 500V 2.7A TO-220
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
Vgs (สูงสุด):
±30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C:
2.7A (ทีซี)
@ จำนวน:
0
ประเภท FET:
พี-แชนแนล
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:
23nC @ 10V
ผู้ผลิต:
เซมี่
ปริมาณขั้นต่ำ:
1
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds):
10V
สต๊อกโรงงาน:
0
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
คุณสมบัติ FET:
-
ซีรี่ย์:
QFET®
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
660pF @ 25V
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-220AB
สถานะชิ้นส่วน:
กิจกรรม
การบรรจุ:
ท่อ
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:
4.9 โอห์ม @ 1.35A, 10V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด):
85W (ทีซี)
กล่อง / กระเป๋า:
TO-220-3
เทคโนโลย:
MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ)
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส:
5V @ 250µA
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss):
500V
คําแนะนํา
FQP3P50 จาก onsemi เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: