SSM3J328R
ผู้ผลิต:
โตชิบา
คําอธิบาย:
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
พี-แชนแนล
เทคโนโลย:
ศรี
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ:
- 55 องศาเซลเซียส
กล่อง / กระเป๋า:
สท-23-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
- 20 โวลต์
การบรรจุ:
รอก
Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส:
- 1 โวลต์
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง:
- 6 ก
Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source:
47.4 ม.โอห์ม
จํานวนช่องทาง:
1 ช่อง
Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส:
8 โวลต์
Qg - ค่าธรรมเนียมประตู:
12.8 นาโนเมตร
ผู้ผลิต:
โตชิบา
คําแนะนํา
SSM3J328R จากโตชิบาเป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
Related Products
TK20A60U
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
TK4P60DB
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
2SA1244-Y
Silicon PNP Power Transistors
TK12A60D
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
TPH1400ANH,L1Q
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
TPH4R50ANH
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
TK10A60D
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
2SK3878
Switching Regulator Applications
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
|
|
|
TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
|
|
|
|
2SA1244-Y |
Silicon PNP Power Transistors
|
|
|
|
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
|
|
|
|
TPH1400ANH,L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
|
|
|
|
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
|
|
|
TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
|
|
|
|
2SK3878 |
Switching Regulator Applications
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: