TPH1400ANH,L1Q
ผู้ผลิต:
โตชิบา
คําอธิบาย:
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
N-ช่อง
เทคโนโลย:
ศรี
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง:
42 ก
สไตล์การติดตั้ง:
เอสเอ็มดี/SMT
กล่อง / กระเป๋า:
SOP-Advance-8
โหมดช่อง:
การเพิ่มประสิทธิภาพ
Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
100 โวลต์
การบรรจุ:
รอก
Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส:
2 โวลต์ถึง 4 โวลต์
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source:
11.3 โมห์ม
จํานวนช่องทาง:
1 ช่อง
Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส:
20 โวลต์
Qg - ค่าธรรมเนียมประตู:
22 นาโนเมตร
ผู้ผลิต:
โตชิบา
คําแนะนํา
TPH1400ANH,L1Q จากโตชิบา เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
TK20A60U
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
SSM3J328R
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
TK4P60DB
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
2SA1244-Y
Silicon PNP Power Transistors
TK12A60D
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
TPH4R50ANH
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
TK10A60D
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
2SK3878
Switching Regulator Applications
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
|
|
|
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
|
|
|
TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
|
|
|
|
2SA1244-Y |
Silicon PNP Power Transistors
|
|
|
|
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
|
|
|
|
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
|
|
|
TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
|
|
|
|
2SK3878 |
Switching Regulator Applications
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: