IXFH20N100P
ผู้ผลิต:
ไอซีเอส
คําอธิบาย:
MOSFET 20 แอมป์ 1000V 1 Rds
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์:
N-ช่อง
เทคโนโลย:
ศรี
Id - กระแสเดรนต่อเนื่อง:
20 ก
สไตล์การติดตั้ง:
ผ่านหลุม
ชื่อการค้า:
โพลาร์, HiPerFET
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ:
- 55 องศาเซลเซียส
กล่อง / กระเป๋า:
TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด:
+ 150 องศาเซลเซียส
โหมดช่อง:
การเพิ่มประสิทธิภาพ
Vds - แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
1,000 โวลต์
การบรรจุ:
ท่อ
Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส:
6.5 โวลต์
ประเภทสินค้า:
มอสเฟต
Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source:
570 ม.โอห์ม
จํานวนช่องทาง:
1 ช่อง
Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส:
30 โวลต์
Qg - ค่าธรรมเนียมประตู:
126 นาโนซี
ผู้ผลิต:
IXYS
คําแนะนํา
IXFH20N100P จาก IXYS เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นส่วนเดิมและชิ้นส่วนใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
สินค้า:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
สินค้า: |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: