เอฟเอ็มดี-G26S
ผู้ผลิต:
ซานเคน อิเล็กทริก อเมริกา
คําอธิบาย:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:
ปราศการ
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:
100µA @ 600V
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:
1.7 V @ 10 A
แพ็คเกจ:
ท่อ
ซีรี่ย์:
-
ความจุ @ Vr, F:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-220F-2L
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):
50 น
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
เทคโนโลย:
มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:
-40°C ~ 150°C
กล่อง / กระเป๋า:
TO-220-2 แพ็คเต็ม
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):
600 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):
10A
ความเร็ว:
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
คําแนะนํา
ไดโอเดส 600 V 10A ผ่านช่อง TO-220F-2L
Related Products
เอฟเอ็มวาย-1106ส
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
เอสเจพีแอล-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
SARS01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
SJPX-F2VR
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
SARS05VL
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
เอฟเอ็มวาย-1106ส |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
|
|
เอสเจพีแอล-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
|
|
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
|
|
SARS01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
|
|
SJPX-F2VR |
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
|
|
|
|
SARS05VL |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: