เอฟเอ็มวาย-1106ส
ผู้ผลิต:
ซานเคน อิเล็กทริก อเมริกา
คําอธิบาย:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr:
30 µA @ 600 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.15 V @ 10 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
TO-220F-2L
Reverse Recovery Time (trr):
200 ns
Mfr:
ซานเคน อิเล็กทริก อเมริกา
Technology:
Standard
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:
-40°C ~ 150°C
Package / Case:
TO-220-2 Full Pack
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):
600 โวลต์
Current - Average Rectified (Io):
10A
ความเร็ว:
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
คําแนะนํา
ไดโอเดส 600 V 10A ผ่านช่อง TO-220F-2L
Related Products
SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
เอสเจพีแอล-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
เอฟเอ็มดี-G26S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
SARS01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
SJPX-F2VR
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
SARS05VL
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
|
|
เอสเจพีแอล-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
|
|
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
|
|
เอฟเอ็มดี-G26S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
SARS01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
|
|
SJPX-F2VR |
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
|
|
|
|
SARS05VL |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: