ส่งข้อความ

SIA427DJ-T1-GE3

ผู้ผลิต:
Vishay ซิลิคอนิกซ์
คําอธิบาย:
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
800mV @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SC-70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
50 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
16mOhm @ 8.2A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.2V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
8 V
Vgs (Max):
±5V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2300 pF @ 4 V
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
Series:
TrenchFET®
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
พาวเวอร์แพค® SC-70-6
Mfr:
Vishay Siliconix
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C:
12A (ทีซี)
Power Dissipation (Max):
3.5W (Ta), 19W (Tc)
เทคโนโลย:
MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ)
Base Product Number:
SIA427
คําแนะนํา
P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) พื้นที่ติดตั้ง PowerPAK® SC-70-6
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: