ส่งข้อความ

IRF510PBF

ผู้ผลิต:
Vishay ซิลิคอนิกซ์
คําอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
กล่อง / กระเป๋า:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8.3 nC @ 10 V
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:
540mOhm @ 3.4A, 10V
FET Type:
N-Channel
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
180 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
43W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF510
คําแนะนํา
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) ผ่านช่อง TO-220AB
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: