ส่งข้อความ

SI2318CDS-T1-GE3

ผู้ผลิต:
Vishay ซิลิคอนิกซ์
คําอธิบาย:
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
42mOhm @ 4.3A, 10V
FET Type:
N-Channel
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss):
40 โวลต์
Vgs (Max):
±20V
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
340 pF @ 20 V
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2318
คําแนะนํา
N-Channel 40 V 5.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) การติดตั้งพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: