ส่งข้อความ

SI4154DY-T1-GE3

ผู้ผลิต:
Vishay ซิลิคอนิกซ์
คําอธิบาย:
MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.3mOhm @ 15A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
4230 pF @ 20 โวลต์
Mounting Type:
Surface Mount
ซีรี่ย์:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
Vishay ซิลิคอนิกซ์
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
36A (Tc)
การกระจายพลังงาน (สูงสุด):
3.5W (ตา), 7.8W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4154
คําแนะนํา
N-Channel 40 V 36A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) การติดตั้งพื้นที่ 8-SOIC
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: