logo
ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > หน่วยความจำ
ตัวกรอง
ตัวกรอง

หน่วยความจำ

ภาพส่วนหนึ่ง #คําอธิบายผู้ผลิตสต็อคRFQ
K4B2G1646F-BCK0

K4B2G1646F-BCK0

96FBGA ไร้สารตะกั่วและปราศจากฮาโลเจน
ซัมซุงเซลมิกอนดักเตอร์
K4H511638J-LCCC

K4H511638J-LCCC

ข้อมูลจำเพาะ 512Mb C-die DDR SDRAM
ซัมซุงเซลมิกอนดักเตอร์
K9F1G08U0E-SCB0

K9F1G08U0E-SCB0

แฟลช E-die NAND ขนาด 1Gb
ซัมซุงเซลมิกอนดักเตอร์
K4W1G1646E-HC12

K4W1G1646E-HC12

หน่วยความจำกราฟิก
ซัมซุงเซลมิกอนดักเตอร์
K4T1G084QF-BCF7

K4T1G084QF-BCF7

1Gb F-die DDR2 SDRAM
ซัมซุงเซลมิกอนดักเตอร์
K4B4G1646D-BCMA

K4B4G1646D-BCMA

4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
ซัมซุงเซลมิกอนดักเตอร์
MT48LC16M16A2P-6A:G

MT48LC16M16A2P-6A:G

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP การใช้งานของเครื่องจักร
เทคโนโลยีไมครอน
MT48LC8M16A2B4-6A:L

MT48LC8M16A2B4-6A:L

ไอซีDRAM 128M Parallel 54VFBGA
เทคโนโลยีไมครอน
MT48LC8M16A2P-6A:L

MT48LC8M16A2P-6A:L

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP การใช้งานของเครื่องจักรกล
เทคโนโลยีไมครอน
MT41K256M16HA-125IT:E

MT41K256M16HA-125IT:E

ไอซี แรม 4G ขนาน 96FBGA
เทคโนโลยีไมครอน
MTFC4GLGDQ-AIT

MTFC4GLGDQ-AIT

IC FLASH 32G MMC 100LBGA
เทคโนโลยีไมครอน
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

IC FLASH 16G PARALLEEL 48TSOP การใช้งานของเครื่องจักรไฟฟ้า
เทคโนโลยีไมครอน
NT2F1G08ABAEAWP:E

NT2F1G08ABAEAWP:E

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
เทคโนโลยีไมครอน
JS28F256M29EWH

JS28F256M29EWH

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP การใช้งานของไอซี
เทคโนโลยีไมครอน
MT4F4G08ABAEAH4-IT:E

MT4F4G08ABAEAH4-IT:E

ไอซีแฟลช 4G ขนาน 63VFBGA
เทคโนโลยีไมครอน
MT29F8G08ABACAWP-IT:C

MT29F8G08ABACAWP-IT:C

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I การใช้งานของเครื่องจักรไฟฟ้า
เทคโนโลยีไมครอน
M29W128GH7AN6E

M29W128GH7AN6E

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP การใช้งานของเครื่องจักร
เทคโนโลยีไมครอน
MT41J128M16JT-093:K

MT41J128M16JT-093:K

ไอซีDRAM 2G PARALLEL 96FBGA
เทคโนโลยีไมครอน
MT41J256M16HA-093:E

MT41J256M16HA-093:E

ไอซี แรม 4G ขนาน 96FBGA
เทคโนโลยีไมครอน
N25Q032A13EF440E

N25Q032A13EF440E

ไอซีแฟลช 32M SPI 108MHZ 8PDFN
เทคโนโลยีไมครอน
N25Q128A13EF740E

N25Q128A13EF740E

ไอซีแฟลช 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
เทคโนโลยีไมครอน
PC28F320J3F75A

PC28F320J3F75A

IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA การใช้งานของเครื่องยนต์
เทคโนโลยีไมครอน
MT48LC2M32B2P-6A:เจ

MT48LC2M32B2P-6A:เจ

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II การใช้งานของเครื่องจักรกล
เทคโนโลยีไมครอน
MT48LC32M8A2P-6A:G

MT48LC32M8A2P-6A:G

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP การใช้งานของเครื่องจักร
เทคโนโลยีไมครอน
MT48LC4M16A2P-6A:เจ

MT48LC4M16A2P-6A:เจ

ไอซีแรม 64M ขนาน 54TSOP
เทคโนโลยีไมครอน
W29N01GVSIAA

W29N01GVSIAA

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
W25Q16CLSSIG

W25Q16CLSSIG

ไอซีแฟลช 16M SPI 50MHZ 8SOIC
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
W25Q32FVSSIQ

W25Q32FVSSIQ

ไอซีแฟลช 32M SPI 104MHZ 8SOIC
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
W25Q128FVPIQ

W25Q128FVPIQ

ไอซีแฟลช 128M SPI 104MHZ 8WSON
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
PC28F320J3F75E

PC28F320J3F75E

IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA การใช้งานของเครื่องยนต์
เทคโนโลยีไมครอน
M25P128-VMF6PB

M25P128-VMF6PB

IC FLASH 128M SPI 54MHZ 16SO W
เทคโนโลยีไมครอน
MT47H32M16NF-25E:เอช

MT47H32M16NF-25E:เอช

ไอซี แรม 512M ขนาน 84FBGA
เทคโนโลยีไมครอน
MT29F32G08CBACAWP-Z:C

MT29F32G08CBACAWP-Z:C

ไอซีแฟลช 32G ขนาน 48TSOP I
เทคโนโลยีไมครอน
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A

MT29F64G08CBAAAWP-Z:A

IC FLASH 64G PARALLEEL 48TSOP I การใช้งานของเครื่องจักรไฟฟ้า
เทคโนโลยีไมครอน
N25Q256A81ESF40G

N25Q256A81ESF40G

ไอซีแฟลช 256M SPI 108MHZ 16SOP2
เทคโนโลยีไมครอน
EDW4032BABG-70-F-D

EDW4032BABG-70-F-D

IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
เทคโนโลยีไมครอน
W25Q128FVSIQ

W25Q128FVSIQ

ไอซีแฟลช 128M SPI 104MHZ 8SOIC
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
W25Q256FVEIQ

W25Q256FVEIQ

ไอซีแฟลช 256M SPI 104MHZ 8WSON
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
W25Q16DVSSIQ

W25Q16DVSSIQ

ไอซีแฟลช 16M SPI 104MHZ 8SOIC
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
W25Q80BLUXIG

W25Q80BLUXIG

ไอซีแฟลช 8M SPI 80MHZ 8USON
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
MT41J256M16LY-091G:N

MT41J256M16LY-091G:N

IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA
เทคโนโลยีไมครอน
MT41K512M16HA-125:อ

MT41K512M16HA-125:อ

DRAM 8G 1.35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
เทคโนโลยีไมครอน
MT40A256M16GE-075E:B

MT40A256M16GE-075E:B

ไอซี แรม 4G ขนาน 96FBGA
เทคโนโลยีไมครอน
TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6

EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
โตชิบา
TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
โตชิบา
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
โตชิบา
TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
โตชิบา
TC58NVG3S0FTA00

TC58NVG3S0FTA00

หน่วยความจำแฟลช 8Gb 3.3V SLC NAND หน่วยความจำแฟลช EEPROM
โตชิบา
MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F3

MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F3

IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ การใช้งานของเครื่องออนไลน์
เทคโนโลยีไมครอน
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ การใช้งานของเครื่องออนไลน์
เทคโนโลยีไมครอน
13 14 15 16 17