ตัวกรอง
ตัวกรอง
ทรานซิสเตอร์
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | สต็อค | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN601TK-7 |
มอสเฟต N-CH 60V 300MA SOT-523
|
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
|
|
|
|
|
|
DMP6185SE-13 |
มอสเฟต PCH 60V 3A SOT223
|
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
|
|
|
|
|
|
NTLJS4114NT1G |
มอสเฟต N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
FDS6630A |
มอสเฟต N-CH 30V 6.5A 8SOIC
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
DMP6180SK3-13 |
มอสเฟต P-CH 60V 14A TO252
|
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
|
|
|
|
|
|
FDD7N20TM |
มอสเฟต N-CH 200V 5A D-PAK
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
IPD50N04S4L-08 |
มอสเฟต N-CH 40V 50A TO252-3-313
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FDD306P |
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
FQD8P10TM |
มอสเฟต P-CH 100V 6.6A DPAK
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
STD44N4LF6 |
มอสเฟต N-CH 40V 44A DPAK
|
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
|
|
|
|
|
|
FDD3860 |
มอสเฟต N-CH 100V 6.2A DPAK
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
FDS86267P |
มอสเฟต P-CH 150V
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
IRFB7545PBF |
MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IRF100S201 |
มอสเฟต N-CH 100V 192A D2PAK
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IRFB7430PBF |
มอสเฟต N CH 40V 195A TO220
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
AUIRF5210STRL |
มอสเฟต P-CH 100V 38A D2PAK
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IRFU3607PBF |
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IRFSL3306PBF |
มอสเฟต N-CH 60V 120A TO-262
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IRFR4510TRPBF |
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
AUIRF4905 |
มอสเฟต P-CH 55V 74A TO220AB
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IRF300P226 |
มอสเฟต IFX ออปติมอส TO247
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IRFB3006GPBF |
มอสเฟต N-CH 60V 195A TO220AB
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
2SK2837 |
ประเภท MOS ของซิลิคอน N แชนเนล (π−MOSV)
|
โตชิบาเซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, Pb ฟรี
|
เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์
|
|
|
|
|
|
SQS401EN-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch ยานยนต์
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IXFN180N10 |
MOSFET 180 แอมป์ 100V 0.008 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXFN230N10 |
MOSFET 230 แอมป์ 100V 0.006 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
HAT2160H-EL-E |
มอสเฟต มอสเฟต
|
เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์
|
|
|
|
|
|
IXFB50N80Q2 |
มอสเฟต 50 แอมป์ 800V
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
NX138AKSX |
MOSFET NX138AKS/SC-88/รีล 7" Q1/T1 *
|
เน็กซ์เปเรีย
|
|
|
|
|
|
IXFN73N30 |
มอสเฟต 300V 73A
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
CSD88537ND |
MOSFET 60-V MOSFET พลังงาน N-Channel คู่
|
เครื่องมือเท็กซัส
|
|
|
|
|
|
IXFH20N100P |
MOSFET 20 แอมป์ 1000V 1 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
PMZB290UNE2YL |
MOSFET 20V N-Channel ร่องลึก MOSFET
|
เน็กซ์เปเรีย
|
|
|
|
|
|
IPD30N03S4L-14 |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua lN-Ch พร้อม Schottky 30V 18.5/11.5mohm
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
MOSFET 250V มอสเฟตแบบ N-Channel
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IPB014N06N |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IPP60R099P6 |
ราคา/ประสิทธิภาพ MOSFET กำลังสูง
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FQA9N90C |
MOSFET 900V N-ช่อง QFET
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V ระดับลอจิกพร้อมซีเนอร์
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IRFL014TRPBF |
MOSFET เอ็นจัง 60V 2.7 Amp
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH โหมด H-Bridge 20V VGSS
|
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
|
|
|
|
|
|
IXFK66N85X |
MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXTK82N25P |
MOSFET 82 แอมป์ 250V 0.035 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IPD100N04S4-02 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FQP6N40C |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET ซีรีย์ C ขั้นสูง
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
2N7002BKS115 |
MOSFET Dual N-Channel 60V 300mA
|
เน็กซ์เปเรีย
|
|
|