ตัวกรอง
ตัวกรอง
ทรานซิสเตอร์
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | สต็อค | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPT004N03L |
MOSFET MV เพาเวอร์มอส
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
SI7997DP-T1-GE3 |
MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SIR870ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 6.6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
FDD8874 |
MOSFET 30V N-Channel แหล่งจ่ายกำลัง
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IRF520PBF |
MOSFET เอ็นจัง 100V 9.2 Amp
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
BSC097N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
Si4410BDY-T1-E3 |
มอสเฟต 30V 10A 2.5W
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SI1869DH-T1-E3 |
สวิตช์โหลด MOSFET 1.8V RA พร้อมการเปลี่ยนระดับ
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
บีเอสเอส 84215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
|
เน็กซ์เปเรีย
|
|
|
|
|
|
IPW60R041C6 |
MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
BSG0811ND |
MOSFET มอสเฟตที่แตกต่าง
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IPW65R045C7 |
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FDS4435BZ |
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
FDP20N50 |
มอสเฟต N-CH 500V 20A TO-220
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
IRFP4868PBF |
มอสเฟต N-CH 300V 70A TO-247AC
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
2SA1244-Y |
ทรานซิสเตอร์กำลังแบบซิลิคอน PNP
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
SPP20N60CFD |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 CoolMOS CFD
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
STB35N65M5 |
มอสเฟต เพาเวอร์มอสเฟต N-CH 650V
|
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
|
|
|
|
|
|
IXFN44N60 |
มอสเฟต 44 แอมป์ 600V
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXFN180N20 |
มอสเฟต 200V 180A
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
|
ซิลิคอนิกซ์ / วิชัย
|
|
|
|
|
|
IXFP14N60P |
มอสเฟต 600V 14A
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
FQA24N50 |
MOSFET 500V N-ช่อง QFET
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
สบส84-7-ฉ |
มอสเฟต -50V 250mW
|
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
|
|
|
|
|
|
SIS862DN-T1-GE3 |
MOSFET 60V 8.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
2N7002DW |
เอฟเฟกต์ฟิลด์โหมดการปรับปรุง MOSFET N-Chan
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 |
มอสเฟต 20V 0.7/-0.5
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
FDP075N15A_F102 |
MOSFET 150V N Chan Pwrเทรนช์
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
NCV8402ASTT1G |
มอสเฟต 42V 2.0A
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
APT14M100B |
มอสเฟต พาวเวอร์มอสเฟต - MOS8
|
ไมโครเซมี่
|
|
|
|
|
|
DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
|
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
|
|
|
|
|
|
NX7002BKSX |
MOSFET 60V, MOSFET สลัก N-channel คู่
|
เน็กซ์เปเรีย
|
|
|
|
|
|
IPW65R150CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IXFH30N60P |
มอสเฟต 600V 30A
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXTH20P50P |
MOSFET -20.0 แอมป์ -500V 0.450 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXTA96P085T |
MOSFET -96 แอมป์ -85V 0.013 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
NX3008NBKS115 |
MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH เทรนช์มอสเฟต
|
เน็กซ์เปเรีย
|
|
|
|
|
|
FDPF20N50 |
มอสเฟต 500V N-CH มอสเฟต
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
FQA28N15 |
MOSFET 150V N-Channel QFET
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SI4288DY-T1-GE3 |
MOSFET 40 โวลต์ 9.2 แอมป์ 3.1 วัตต์
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
FQP12P10 |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SI4401DDY-T1-GE3 |
มอสเฟต 40V 16.1A P-CH มอสเฟต
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
FDS6912A |
MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
2N7002KT1G |
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5โอห์ม
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
NX7002AK |
MOSFET 60 V, MOSFET ร่อง N-chan เดี่ยว
|
เน็กซ์เปเรีย
|
|
|
|
|
|
SIZ918DT-T1-GE3 |
มอสเฟต 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SI7998DP-T1-GE3 |
มอสเฟต 30V 25/30A 93/53โมห์ม @ 10V
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IRFBF20PBF |
MOSFET เอ็นจัง 900V 1.7 Amp
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SI1034X-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 โอห์ม @ 4.5V
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IPA60R190P6 |
MOSFET กำลังสูง_PRC/PRFRM
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|