ตัวกรอง
ตัวกรอง
มอสเฟต
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | สต็อค | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD18N20V2TM |
MOSFET 200V N-Ch และ QFET V2 ซีรี่ส์
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
มอสเฟต 30V 11.4A 5.0W 24โมโอห์ม @ 10V
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-แชนเนล
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
บีเอสเอส 123215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
|
เน็กซ์เปเรีย
|
|
|
|
|
|
สินค้า: |
MOSFET GigaMOS ร่องลึก T2 HiperFET PWR MOSFET
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 โมห์ม @ 4.5V
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 ผ่านการรับรอง
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(เปิด)
|
ซิลิคอนิกซ์ / วิชัย
|
|
|
|
|
|
FDS3992 |
มอสเฟต 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
FCP22N60N |
มอสเฟต N-CH 600V 22A TO-220
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
IRFS4410ZTRLPBF |
มอสเฟต N-CH 100V 97A D2PAK
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
TK20A60U |
มอสเฟต N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
IPA60R400CE |
มอสเฟต N-CH 600V TO-220-3
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 แอมป์ 800V 0.40 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXFN80N50Q2 |
MOSFET 80 แอมป์ 500V 0.06 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXFX32N50 |
MOSFET 32 แอมป์ 500V 0.16 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXFH13N80 |
มอสเฟต 800V 13A
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
DMP6023LFGQ-13 |
มอสเฟต มอสเฟต BVDSS: 41V-60V
|
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
|
|
|
|
|
|
IXTQ96N15P |
MOSFET 96 แอมป์ 150V 0.024 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 ผ่านการรับรอง
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IXFH170N10P |
MOSFET 170 แอมป์ 100V 0.009 Rds
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXFK180N10 |
มอสเฟต 100V 180A
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
อุปกรณ์สวิตช์ MOSFET
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
สปา17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
มอสเฟต NFET 100V 170MA 6OH
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 |
มอสเฟต 20V 6A N-CH มอสเฟต
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SI7938DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 60A 46W 5.8mohm @ 10V
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IPT007N06N |
MOSFET มอสเฟตที่แตกต่าง
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FDT434P |
มอสเฟต SOT-223 P-CH -20V
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IRF7343TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
|
นักลงทุนสัมพันธ์/อินฟิเนียน
|
|
|
|
|
|
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
โตชิบา
|
|
|
|
|
|
SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 โวลต์ 0.7 แอมป์ 0.34 วัตต์
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
2N7002DW-7-F |
มอสเฟต 60V 200mW
|
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
|
|
|
|
|
|
IXFH46N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/46A อัลตร้าจังชั่น X2
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXTP60N10T |
มอสเฟต มอสเฟต Id60 BVdass100
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IXTP60N20T |
MOSFET เทรนช์ MOSFET กระแสไฟ 200v, 60A
|
ไอซีเอส
|
|
|
|
|
|
IPW60R070P6 |
ราคา/ประสิทธิภาพ MOSFET กำลังสูง
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
SI3932DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 3.7A มอสเฟต N-CH แบบคู่
|
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
อย.20N50F |
MOSFET 500V N-แชนเนล
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
BSC040N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FQA46N15 |
MOSFET 150V N-Channel QFET
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
FDP51N25 |
MOSFET 250V มอสเฟตแบบ N-Channel
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
FQP27N25 |
MOSFET 250V N-Channel QFET
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
FDMS86104 |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|
|
|
|
IRFB5615PBF |
มอสเฟต ออดิโอ MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FQPF6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET ซีรีย์ C ขั้นสูง
|
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
|
|
|